Samsung, bugün yaptığı duyuruda 5 nm FinFET geliştirme sürecinin tamamlandığını ve müşteri örneklerinin hazır olduğunu söyledi. Şirket, DRAM (Dinamik RAM) pazarının düşüşte olmasına karşın eser yelpazesine yeni bir teknoloji daha ekledi.
Yarı iletken pazarındaki genel fikir birliği, Samsung’un bu sene içerisinde liderlik koltuğunu Intel’e bırakacağı istikametinde. Bununla ilgili birinci varsayımlar IC Insights ve Gartner’dan geldi. DRAM pazarındaki sorun, bellek fiyatlarındaki düşüşe karşın talebin beklenen düzeye gelmemesi.
Samsung ise bu endişelere bu alanda çıkardığı yeni eserlerle yanıt vermeyi tercih etti. Şirketin son aylarda çıkardığı teknolojiler ortasında aşağıdaki eserler bulunuyor.
- İlk LPDDR5 SDRAM modülü
- İlk eMRAM
- İlk HBM2E uyumlu ürünü
- İlk üçüncü jenerasyon 10 nm sınıfı (1z-nm) 8 GB DDR4 DRAM
Güney Koreli teknoloji devi, birebir vakitte Hwaesong’daki yeni fabrikasına yaptığı yatırımları iki katına çıkarmayı düşünüyor. Şirket, bunlara ek olarak 5 nm EUV (aşırı ultraviyole litografi) teknolojisini de listesine ekledi. Samsung, yaptığı açıklamada 5 nm EUV sürecini tamamladığını söyledi ve var olan 7 nm sürece teknolojisiyle şöyle kıyasladı: “%20 daha az güç tüketimiyle birlikte %25 daha fazla verimlilik sağlıyor. Standart hücre mimarisi geliştirme sürecinin sonucunda %10 daha yüksek performans veriyor.”
Şirket ayrıyeten fikir haklarının birçoklarının yine kullanılabileceğini açıkladı. Yani bu; müşterilerin azalan taşıma maliyetlerinden ve önceden onaylanmış tasarım ekosisteminden daha fazla yararlanmasına olanak tanınacağı dolayısıyla 5 nm eser geliştirme sürecinin kısalacağı manasına geliyor.